HTXB-1000D 动静态综合老化测试系统针对以 SiC/ GaN 为首的新型三代半导体功率器件,根据其特有的器件结构和失效机理,在加速老化条件下,有针对性的施加特定压力条件(包括静态压力和动态压力), 用以测试功率器件器件的漏流指标,以及其他典型特性参数(例如阈值开启电压,导通电阻等关键指标),以表征器件的老化特性和工作寿命。
网站客服咨询客服
手机:18621752540 电话:021-54332625